| | более и температурой 1500 град. С | | | | или выше; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.2.4. | Термоэлектрических систем | | | | преобразования энергии с величиной | | | | произведения добротности z на | | | | градусы Кельвина, равной 0,6 или | | | | более (z - определяется | | | | электропроводностью материала и | | | | его термоэлектрическим | | | | коэффициентом Зеебека) при | | | | температуре термоэлектрического | | | | материала 600 град. С или выше; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.2.5. | Высокотемпературных детандеров | | | | Лисхольма; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | тепловых трубок с температурой | | | | выше 600 град. С или радиационно | | | | стойких тепловых трубок; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.4. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | установок для волочения проволоки | | | | из жаропрочных металлов (с | | | | сечением менее 50 мкм) и плетения | | | | мелких сеток (содержащих более 8 | | | | проволок на 1 мм); | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.5. | Технологии разработки, | | | | производства или применения систем | | | | управления мобильными реакторами; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.6. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | средств контроля критичности | | | | мобильного ядерного реактора; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.2.7. | Расчетные и экспериментальные | | | | данные по определению критичности | | | | ядерных реакторов космического | | | | назначения; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3. | Технологии, связанные с | | | | электромеханическими | | | | преобразователями энергии: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | электромагнитных машин: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.1.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | генераторов со стабильной | | | | постоянной частотой, включая: | | | | а) интегрированные приводы; | | | | б) гидромеханические передачи | | | | постоянной скорости вращения; | | | | в) преобразователи переменной | | | | скорости вращения с постоянной | | | | частотой; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.1.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | портативных турбогенераторов, | | | | способных давать на выходе 10 МВт | | | | или более при длительности | | | | импульсов от миллисекунд до | | | | десятков секунд; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.1.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения систем | | | | криогенного жидкостного и парового | | | | охлаждения и тепловых трубок для | | | | роторных электромагнитных машин; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | магнитогидродинамических | | | | устройств: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2.1.1. | Электродов и (или) других | | | | высокотемпературных | | | | электропроводящих керамических | | | | материалов для электродов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2.1.2. | Методов диагностики систем; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2.1.3. | Систем для работы с жидкими | | | | металлами; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.2.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | магнитогидродинамических топливных | | | | систем, включая: | | | | а) информацию о получении | | | | топливных композиций, | | | | обеспечивающих оптимальное | | | | извлечение мощности; | | | | б) методы извлечения затравок и | | | | изготовления соответствующего | | | | оборудования; | | | | в) получение и использование | | | | плазмы, в особенности при помощи | | | | легких ракетоподобных горелок и | | | | самовозбуждающихся, инициируемых | | | | взрывом генераторов для длительной | | | | работы в режиме пульсации; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | электродинамических устройств, | | | | таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.3.1. | Устройств ввода и ионизации | | | | рабочего тела для | | | | электрореактивных двигателей; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.3.2. | Ускорителей ионизированных частиц | | | | для электрореактивных двигателей; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.4. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | устройств пьезоэлектрического | | | | преобразования, таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.4.1. | Высокоэффективных | | | | пьезоэлектрических материалов с | | | | высокой усталостной прочностью; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.3.4.2. | Схем с низким напряжением | | | | возбуждения; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.4. | Технология прямого преобразования: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.4.1. | Технологии термоэлектрического | | | | преобразования: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.4.1.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | термоэлектрических материалов с | | | | величиной произведения добротности | | | | z на градусы Кельвина, равной 0,6 | | | | или более (z - определяется | | | | электропроводностью материала и | | | | его термоэлектрическим | | | | коэффициентом Зеебека) при | | | | температуре термоэлектрического | | | | материала 600 град. С или выше; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.4.1.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | коммутационных (электрических и | | | | тепловых) переходов к | | | | термоэлектрическим материалам и | | | | соединений между этими | | | | материалами, характеризующихся | | | | стабильностью при воздействии | | | | температуры 600 град. С или выше | | | | и стойкостью к воздействию | | | | 20 | | | | нейтронов при флюэнсе 10 | | | | нейтронов/кв. см с энергией | | | | нейтронов более 0,1 МэВ; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.4.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | термоэмиссионных преобразователей | | | | с параметрами удельной мощности | | | | 1,5 Вт/кв. см или более, | | | | температурой 1300 град. С или | | | | выше для солнечных энергосистем и | | | | 1500 град. С или выше для ядерных | | | | энергосистем, а также: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | импульсных силовых систем: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.1. | Технологии проектирования и | | | | комплексирования систем: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.1.1. | Технологии обработки | | | | поверхностей для повышения | | | | возможностей линий электропередачи | | | | при напряженности более 10 МВ/м; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.1.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | импульсных силовых систем с | | | | удельной энергией 35 кДж/кг или | | | | более, удельной мощностью 250 | | | | Вт/кг или более, предназначенных | | | | для мобильной эксплуатации при | | | | установке на транспортных | | | | средствах или пригодных в | | | | использовании на космических | | | | аппаратах, включая методы защиты | | | | от воздействия факторов окружающей | | | | среды и повышения радиационной | | | | стойкости; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.2. | Технология генерации и накопления: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.2.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | генераторов со сжатием | | | | магнитного потока с единичным | | | | энергозапасом более 50 МДж, | | | | включая: | | | | а) разработку, производство или | | | | применение магнитоэлектрических | | | | генераторов со сжатием потока в | | | | расчете на минимизацию потерь и | | | | максимизацию эффективности | | | | преобразования энергии, включая: | | | | методы уменьшения потерь | | | | магнитного потока и его | | | | локализации; | | | | методы предотвращения | | | | неблагоприятных эффектов сильных | | | | магнитных полей; | | | | методы предотвращения | | | | электрического пробоя; | | | | б) разработку, производство или | | | | применение технических средств и | | | | методов формирования импульсов | | | | магнитоэлектрических генераторов | | | | со сжатием потока, а также | | | | разработку особых конструкций | | | | импульсных генераторов, входных и | | | | выходных переключателей и | | | | формирование передающих линий; | | | | в) разработку трансформаторов | | | | связи для магнитоэлектрических | | | | генераторов и применение | | | | согласования импеданса; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.2.2. | Технология импульсных батарей: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.5.2.2.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения систем | | | | электродов для получения импульсов | | | | сверхвысокой частоты и методов | | | | химической обработки поверхности; | | | 10.5.5.5.2.2.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | электролитов с высокой | | | | подвижностью носителей, большой | | | | вязкостью или твердых | | | | электролитов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 10.5.5.6. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | компактных ускорителей легких | | | | ионов (протонов), рассчитанных на | | | | эксплуатацию в верхних слоях | | | | атмосферы и (или) космическом | | | | пространстве | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | КАТЕГОРИЯ 11. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ | | | | МАТЕРИАЛЫ | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.1. | Системы, оборудование и компоненты | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.1.1. | Изделия сложной формы, | 7508 90 000 0 | | | изготовленные из направленно | | | | отверждающихся эвтектических и | | | | монокристаллических суперсплавов | | | | путем отливки | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | Примечание. | | | | По пункту 11.1.1 не | | | | контролируются изделия в форме | | | | стержней, пластин и труб | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.2.1. | Оборудование для тепловых | 9031 20 000 0; | | | испытаний образцов материалов с | 9031 80 990 0 | | | углерод-углеродным покрытием при | | | | температурах выше 1650 град. С | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.3. | Материалы | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.3.1. | Композиционные материалы типа | 7019 39 000 9; | | | "Стекларм" на основе | 7020 00 100 0; | | | стекломатрицы, армированной | 7020 00 800 0 | | | высокопрочными волокнами, | | | | разработанные для изготовления | | | | деталей силовых установок (узлов | | | | трения), работающих в агрессивных | | | | средах при повышенных температурах | | | | (500 град. С или выше) | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.3.2. | Композиционные материалы на основе | 7019 39 000 9; | | | стекла, армированного непрерывными | 7020 00 100 0; | | | высокопрочными волокнами с | 7020 00 800 0 | | | плотностью 1900 кг/куб. м или | | | | более, прочностью 150 МПА или | | | | более и температурой эксплуатации | | | | 500 град. С или выше | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.3.3. | Композиционные материалы на основе | 7019 39 000 9; | | | стекла, в системе | 7020 00 100 0; | | | SiO2-Аl2О3-В2О3, армированного | 7020 00 800 0 | | | жгутами из непрерывных | | | | высокопрочных волокон, с | | | | плотностью 1730 кг/куб. м или | | | | более и модулем упругости 230 Гпа | | | | или более | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.3.4. | Сплавы на основе Fe-Cr-Al, | 7224; | | | работающие длительное время в | 7225; | | | окислительной среде при | 7226; | | | температуре 1400 град. С или выше, | 7227; | | | способные к экструдированию и | 7228; | | | прокатыванию | 7229 | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.4. | Программное обеспечение - нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5. | Технология | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | конструкционных материалов, | | | | покрытий, методов обеспечения | | | | прочности и повышения стойкости к | | | | внешним воздействиям среды и | | | | различным поражающим факторам: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1.1. | Технологии разработки или | | | | производства сплавов на основе | | | | молибдена, легированного | | | | редкоземельными и другими | | | | металлами, в части их составов, | | | | режимов получения и обработки; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1.2. | Технологии разработки или | | | | производства изделий сложной | | | | формы путем отливки из направленно | | | | отверждающихся эвтектических и | | | | монокристаллических суперсплавов, | | | | включая состав литья, свойства и | | | | технологические процессы, а также | | | | режимы и контроль параметров | | | | отверждения и промежуточный | | | | контроль во время плавки и | | | | отливки; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1.3. | Технологии разработки или | | | | производства слитков | | | | алюминий-литиевых сплавов: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1.3.1. | Технологии разработки или | | | | применения процессов плавки, | | | | легирования и литья слитков, | | | | позволяющих преодолеть химическую | | | | активность таких сплавов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.1.3.2. | Технологии разработки или | | | | применения процессов | | | | термомеханической обработки, | | | | необходимых для получения | | | | требуемых механических свойств | | | | сплавов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | композиционных материалов типа | | | | "Стекларм" на основе | | | | стекломатрицы, армированной | | | | высокопрочными волокнами, с целью | | | | изготовления деталей силовых | | | | установок (узлов трения), | | | | работающих в агрессивных средах | | | | при повышенных температурах | | | | (500 град. С или выше) | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | композиционных материалов на | | | | основе стекла, армированного | | | | непрерывными высокопрочными | | | | волокнами с плотностью 1900 | | | | кг/куб. м или более, прочностью | | | | 150 МПА или более и температурой | | | | эксплуатации 500 град. С или выше | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.4. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | композиционных материалов на | | | | основе стекла в системе | | | | SiO2-Аl2О3-В2О3, армированного | | | | жгутами из непрерывных | | | | высокопрочных волокон, с | | | | плотностью 1730 кг/куб. м или | | | | более и модулем упругости 230 Гпа | | | | или более | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.5. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | сплавов на основе Fe-Cr-Al, | | | | работающих длительное время в | | | | окислительной среде при | | | | температуре 1400 град. С или выше, | | | | способных к экструдированию и | | | | прокатыванию | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.6. | Технологии измельчения материалов, | | | | основанные на формировании струй | | | | газовзвеси в соплах с | | | | криволинейной осью с последующим | | | | столкновением ее с вращающимися | | | | мишенями, имеющими разные знаки | | | | направления векторов окружных | | | | скоростей, позволяющие | | | | осуществлять измельчение | | | | полидисперсных материалов до | | | | средних размеров частиц диаметром | | | | менее 40 мкм | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.7. | Технологии изготовления | | | | посредством сращивания кремниевых | | | | пластин со сколом внедрения | | | | водородом (технология DeleCut) | | | | структур кремний-на-изоляторе | | | | (КНИ), разработанных для | | | | производства радиационно стойких | | | | СБИС | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.8. | Технологии изготовления на основе | | | | бескислотных керамических | | | | материалов (нитриды алюминия, | | | | кремния, карбид кремния) подложек | | | | для теплоотводов СВЧ-приборов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 11.5.9. | Технологии выращивания | | | | бездислокационного | | | | монокристаллического кварца для | | | | использования в оптических | | | | приборах и пьезотехнике | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | КАТЕГОРИЯ 12. ОБРАБОТКА | | | | И ПОЛУЧЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.1. | Системы, оборудование и компоненты | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.1.1. | Высокоточные воздушные | 8483 30 390 0; | | | подшипниковые системы и их | 8483 30 900 0; | | | компоненты | 8483 90 300 0 | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.1.2. | Системы и оборудование, специально | 8401 20 000 0 | | | разработанные или подготовленные | | | | для разделения стабильных изотопов | | | | химических элементов центрифужным, | | | | электромагнитным или лазерным | | | | методом | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.2.1. | Оборудование высококачественной | | | | сварки: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.2.1.1. | Датчики и системы управления для | | | | сварочного оборудования, такие, | | | | как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.2.1.1.1. | Микропроцессоры и оборудование с | 8537 10 100 0; | | | цифровым управлением, которые | 8537 10 910 0; | | | прослеживают сварной шов в | 8542 21 83; | | | реальном масштабе времени, | 9031 80 910 0; | | | контролируя его геометрию; | 9032 89 900 0 | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.2.1.1.2. | Микропроцессоры и оборудование с | 8537 10 100 0; | | | цифровым управлением, которые в | 8537 10 910 0; | | | реальном масштабе времени | 8542 21 83; | | | контролируют и корректируют | 9031 80 910 0; | | | параметры сварки в зависимости от | 9032 89 900 0 | | | изменений сварного шва или | | | | состояния сварочной дуги | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.3. | Материалы - нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.4. | Программное обеспечение - нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5. | Технология | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | высокоточных воздушных | | | | подшипниковых систем и их | | | | компонентов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | высококачественной сварки: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.2.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | датчиков и систем управления для | | | | сварочного оборудования, таких, | | | | как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.2.1.1. | Микропроцессоров и оборудования с | | | | цифровым управлением, которые в | | | | реальном масштабе времени | | | | прослеживают сварной шов, | | | | контролируя его геометрию; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.2.1.2. | Микропроцессоров и оборудования с | | | | цифровым управлением, которые в | | | | реальном масштабе времени | | | | контролируют и корректируют | | | | параметры сварки в зависимости от | | | | изменений сварного шва или | | | | состояния сварочной дуги | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.3. | Технологии разработки или | | | | производства проволоки, | | | | наплавочного материала и | | | | фитильных или покрытых электродов | | | | для сварки изделий из титана, | | | | алюминия и высокопрочной стали, а | | | | также композиции материалов | | | | покрытий и сердцевин электродов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.4. | Технологии разработки или | | | | производства металлических | | | | конструкций и компонентов методом | | | | электронно-лучевой сварки с | | | | использованием машинного | | | | управления технологическим | | | | процессом | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 12.5.5. | Технологии разработки или | | | | производства систем и | | | | оборудования, указанных в пункте | | | | 12.1.2. | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.1. | Системы, оборудование и компоненты | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.1.1. | Радиоэлектронные системы и | | | | оборудование, специально | | | | разработанные для защиты | | | | информации от негласного доступа | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.1.2. | Генераторы (синтезаторы) сигналов, | 8543 20 000 0 | | | в том числе программируемые, | | | | работающие в диапазоне частот от | | | | 1215 МГц до 1615 МГц | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование - | | | | нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.3. | Материалы - нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4. | Программное обеспечение | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.1. | Программное обеспечение для | | | | разработки и производства | | | | электрических и механических | | | | элементов антенн, а также для | | | | анализа тепловых деформаций | | | | конструкций антенн | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2. | Программное обеспечение для | | | | разработки, производства или | | | | применения космических элементов | | | | спутниковой системы связи и их | | | | элементов, таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.1. | Развертываемых антенн, а также | | | | механизмов их развертывания, | | | | включая контроль поверхности | | | | антенн при их изготовлении и | | | | динамический контроль развернутых | | | | антенн; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.2. | Антенных решеток с фиксированной | | | | апертурой, включая контроль их | | | | поверхности при производстве; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.3. | Антенных решеток, состоящих из | | | | линейки рупорных излучателей, | | | | формирующих диаграмму | | | | направленности путем изменения | | | | фазы сигнала и установки нуля | | | | диаграммы направленности на | | | | источник помех; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.4. | Микрополосковых фазированных | | | | антенных решеток, включая | | | | компоненты для формирования нуля | | | | диаграммы в направлении на | | | | источник помех; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.5. | Трактов передачи энергии от | | | | передатчика к антенне, | | | | обеспечивающих хорошее их | | | | согласование; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.2.6. | Антенн и компонентов на основе | | | | композиционных материалов для | | | | достижения требуемых характеристик | | | | прочности и жесткости при | | | | минимальном весе, стабильности | | | | длительной их работы в широком | | | | диапазоне температур | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.3. | Программное обеспечение для | | | | разработки, производства или | | | | применения полосовых фильтров с | | | | полосой пропускания менее 0,1% или | | | | более 10% среднего значения | | | | частоты | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.4. | Программное обеспечение для | | | | разработки или производства | | | | аппаратуры, указанной в пунктах | | | | 13.5.5.1 - 13.5.5.5 | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.5. | Программное обеспечение, | | | | специально разработанное для | | | | использования в системах и | | | | оборудовании, указанных в пункте | | | | 13.1.1 | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.6. | Программное обеспечение для | | | | разработки или производства | | | | элементов электровакуумных | | | | СВЧ-приборов, указанных в пунктах | | | | 13.5.3.4.1 - 13.5.3.4.3 | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.4.7. | Программное обеспечение, | | | | предназначенное для использования | | | | в генераторах (синтезаторах) | | | | сигналов, указанных в пункте | | | | 13.1.2 | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5. | Технология | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.1. | Технологии, связанные с | | | | разработкой, производством или | | | | применением вакуумной электроники, | | | | акустоэлектроники и | | | | сегнетоэлектрики: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.1.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | оборудования с цифровым | | | | управлением, позволяющего | | | | осуществлять автоматическую | | | | ориентацию рентгеновского луча и | | | | коррекцию углового положения | | | | кварцевых кристаллов с | | | | компенсацией механических | | | | напряжений, вращающихся по двум | | | | осям при величине погрешности 10 | | | | угловых секунд или менее, которая | | | | поддерживается одновременно для | | | | двух осей вращения; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.1.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | оборудования для равномерного | | | | покрытия поверхности мембран, | | | | электродов и волоконно-оптических | | | | элементов монослоями биополимеров | | | | или биополимерных композиций | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | криогенной техники: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.2.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | низкотемпературных контейнеров, | | | | криогенных трубопроводов или | | | | низкотемпературных рефрижераторных | | | | систем закрытого типа, | | | | разработанных для получения и | | | | поддержания регулируемых | | | | температур ниже 100 К и пригодных | | | | для использования на подвижных | | | | наземных, морских, воздушных и | | | | космических платформах | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | источников микроволнового | | | | излучения (в том числе СВЧ | | | | излучения) средней мощностью более | | | | 3 МВт с энергией в импульсе более | | | | 10 кДж: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения мощных | | | | переключателей, таких, как | | | | водородные тиратроны и их | | | | компонентов, в том числе устройств | | | | получения длительных (до 30 с) | | | | импульсов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | волноводов и их компонентов, в том | | | | числе: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.1. | Массового производства одно- и | | | | двухгребневых волноводов и | | | | высокоточных волноводных | | | | компонентов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.2. | Механических конструкций | | | | вращающихся сочленений; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.3. | Устройств охлаждения | | | | ферромагнитных компонентов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.4. | Прецизионных волноводов | | | | миллиметровых волн и их | | | | компонентов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.5. | Ферритовых деталей для | | | | использования в ферромагнитных | | | | компонентах волноводов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.6. | Ферромагнитных и механических | | | | деталей для сборки ферромагнитных | | | | узлов волноводов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.2.7. | Материалов типа | | | | "диэлектрик-феррит" для управления | | | | фазой сигнала и уменьшения | | | | размеров антенны; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения СВЧ- и | | | | ВЧ-антенн, специально | | | | предназначенных для ускорения | | | | ионов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.4. | Технологии разработки или | | | | производства следующих элементов | | | | электровакуумных СВЧ-приборов: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.4.1. | Безнакальных и | | | | вторично-эмиссионных эмиттеров; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.4.2. | Высокоэффективных эмиттеров с | | | | плотностью тока катода более 10 | | | | А/кв. см; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.3.4.3. | Электронно-оптических и | | | | электродинамических систем для | | | | многорежимных ламп бегущей волны | | | | (ЛБВ), многолучевых приборов и | | | | гиротронов | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4. | Технологии, связанные с | | | | исследованием проблем | | | | распространения радиоволн в | | | | интересах создания перспективных | | | | систем связи и управления: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | средств КВ-радиосвязи: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.1.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | автоматически управляемых | | | | КВ-радиосистем, в которых | | | | обеспечивается управление | | | | качеством работы каналов связи; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.1.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | устройств настройки антенн, | | | | позволяющих настраиваться на любую | | | | частоту в диапазоне от 1,5 МГц до | | | | 88 МГц, которые преобразуют | | | | начальный импеданс антенны с | | | | коэффициентом стоячей волны от 3 - | | | | 1 или более до 3 - 1 или менее, и | | | | обеспечивающих настройку при | | | | работе в любом из следующих | | | | режимов: | | | | а) в режиме приема за время 200 мс | | | | или менее; | | | | б) в режиме передачи за время 200 | | | | мс или менее при уровнях мощности | | | | менее 100 Вт и за 1 с или менее | | | | при уровнях более 100 Вт; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | широкополосных передающих антенн, | | | | имеющих коэффициент перекрытия | | | | частотного диапазона в пределах 10 | | | | и более и коэффициент стоячей | | | | волны не более 4; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | станций радиорелейной связи, | | | | использующих эффект тропосферного | | | | рассеяния, и их компонентов, | | | | таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.1. | Усилителей мощности для работы в | | | | диапазоне частот от 300 МГц до 8 | | | | ГГц, использующих жидкостно- и | | | | пароохлаждаемые электронные лампы | | | | мощностью более 10 кВт или лампы с | | | | воздушным охлаждением мощностью 2 | | | | кВт или более и коэффициентом | | | | усиления более 20 дБ, включая | | | | усилители, объединенные со своими | | | | источниками электропитания; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.2. | Приемников с уровнем шумов менее 3 | | | | дБ; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.3. | Специальных микроволновых | | | | гибридных интегральных схем; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.4. | Фазированных антенных решеток, | | | | включая их распределенные | | | | компоненты для формирования луча; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.5. | Адаптивных антенн, способных к | | | | установке нуля диаграммы | | | | направленности в направлении на | | | | источник помех; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.6. | Средств радиорелейной связи для | | | | передачи цифровой информации со | | | | скоростью более 2,1 Мбит/с и более | | | | 1 бит/цикл; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.3.7. | Средств радиорелейной | | | | многоканальной (более 120 каналов) | | | | связи с разделением каналов по | | | | частоте; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | космических спутниковых систем | | | | связи и их элементов, таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.1. | Развертываемых антенн, а также | | | | механизмов их развертывания, | | | | включая контроль поверхности | | | | антенн при их изготовлении и | | | | динамический контроль развернутых | | | | антенн; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.2. | Антенных решеток с фиксированной | | | | апертурой, включая контроль их | | | | поверхности при производстве; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.3. | Антенных решеток, состоящих из | | | | линейки рупорных излучателей, | | | | формирующих диаграмму | | | | направленности путем изменения | | | | фазы сигнала и установки нуля | | | | диаграммы направленности на | | | | источник помех; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.4. | Микрополосковых фазированных | | | | антенных решеток, включая | | | | компоненты для формирования нуля | | | | диаграммы в направлении на | | | | источник помех; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.5. | Трактов передачи энергии от | | | | передатчика к антенне, | | | | обеспечивающих хорошее их | | | | согласование; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.4.6. | Антенн и компонентов на основе | | | | композиционных материалов для | | | | достижения требуемых характеристик | | | | прочности и жесткости при | | | | минимальном весе, стабильности | | | | длительной их работы в широком | | | | диапазоне температур, включая | | | | технологии для стабилизации | | | | параметров в процессе изготовления | | | | компонентов из эпоксидных смол с | | | | графитовым наполнением; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.4.5. | Технологии разработки или | | | | производства усилителей мощности, | | | | предназначенных для применения в | | | | космосе и имеющих одно из | | | | следующих устройств и | | | | особенностей: | | | | а) приборы с теплообменными | | | | устройствами, содержащими схемы | | | | теплопередачи от элемента к | | | | поглотителю тепла мощностью более | | | | 25 Вт с площади 900 кв. см; | | | | б) блоки, работающие на частотах | | | | 18 ГГц или обеспечивающие | | | | следующие мощности: 10 Вт на | | | | частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на | | | | частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте | | | | 11 ГГц; | | | | в) высоковольтные источники | | | | питания, имеющие соотношение | | | | мощность/масса и мощность/габариты | | | | более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5. | Технологии, связанные с | | | | разработкой методов и способов | | | | радиоэлектронной разведки и | | | | подавления: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | средств радиоэлектронной разведки | | | | и подавления, таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.1.1. | Систем разведки и подавления, | | | | управляемых оператором или | | | | работающих автоматизированно и | | | | разработанных для перехвата и | | | | анализа сигналов, подавления и | | | | нарушения нормальной работы систем | | | | связи всех типов или навигации; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.1.2. | Приемников, работающих с | | | | сигналами, имеющими коэффициент | | | | сжатия, превышающий 100; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | приемников, использующих | | | | дисперсионные фильтры и | | | | конвольверы с уровнем побочных | | | | сигналов на 20 дБ ниже основного | | | | сигнала; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.3. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | приемопередающих устройств, | | | | предназначенных для обнаружения, | | | | перехвата, анализа, подавления | | | | сигналов, в том числе с модуляцией | | | | распределенным спектром; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.4. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | устройств автоматической настройки | | | | антенны, обеспечивающих ее | | | | перестройку со скоростью не менее | | | | 30 МГц/с; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.5. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | средств автоматического | | | | определения направления, способных | | | | считывать пеленги со скоростями не | | | | менее одного пеленга в секунду; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.5.6. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | генераторов (синтезаторов) | | | | сигналов, в том числе | | | | программируемых, с | | | | характеристиками, указанными в | | | | пункте 13.1.2 | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6. | Технологии разработки, | | | | изготовления или применения | | | | запоминающих устройств (ЗУ) на | | | | тонких пленках, такие, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.1. | Технологии разработки, | | | | производства или применения ЗУ на | | | | центральных магнитных доменах | | | | (ЦМД); | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.2. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | материалов и оборудования для | | | | изготовления ЗУ на ЦМД; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.3. | Технологии выращивания и обработки | | | | материалов для изготовления | | | | подложек ЗУ на магнитных доменах, | | | | например, из материала на основе | | | | галлий-гадолиниевого граната; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.4. | Технологии эпитаксиального | | | | выращивания пленок для ЗУ на ЦМД; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.5. | Технологии осаждения пермаллоя и | | | | диэлектрика и создания рисунка с | | | | пространственным разрешением лучше | | | | 10 мкм, включая металлизацию | | | | напылением или испарением и ионное | | | | фрезерование; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.6. | Технологии компоновки и сборки ЗУ | | | | на ЦМД; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.6.7. | Технологии разработки ионных | | | | имплантантов и ЗУ с | | | | соприкасающимися дисками и методы | | | | создания рисунка | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7. | Технологии разработки, | | | | производства или применения ЗУ на | | | | проволоке с гальваническим | | | | покрытием: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7.1. | Технологии разработки или | | | | производства ЗУ на проволоке с | | | | гальваническим покрытием, включая: | | | | а) подготовку бериллиево-медной | | | | подложки для обеспечения чистой и | | | | однородной поверхности; | | | | б) покрытие медью для обеспечения | | | | требуемых плотности и | | | | шероховатости проволоки; | | | | в) конструирование устройств для | | | | нанесения покрытий требуемых | | | | составов, однородности и толщины | | | | пермаллойного (никелево-железного) | | | | магнитного материала на | | | | проволочные подложки; | | | | г) автоматизированные испытания в | | | | ходе нанесения покрытия на | | | | проволоку и проверка после | | | | окончания процесса с тем, чтобы | | | | гарантировать нужные параметры; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7.2. | Технологии разработки или | | | | производства запоминающих | | | | устройств на проволоке, таких, | | | | как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7.2.1. | Магнитных экранов для запоминающих | | | | устройств, в том числе | | | | пермаллойного слоя; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7.2.2. | Туннельных структур для плотного и | | | | дешевого размещения элементов ЗУ | | | | на проволоке с гальваническим | | | | покрытием; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.7.2.3. | Ферритовых слоев для формирования | | | | линий магнитного потока и | | | | увеличения плотности упаковки | | | | вдоль проволоки с нанесенным | | | | покрытием | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | специальных технических средств, | | | | разработанных для негласного | | | | получения информации, таких, как: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.1. | Для негласного получения и | | | | регистрации акустической | | | | информации; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.2. | Для негласного визуального | | | | наблюдения и документирования; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.3. | Для негласного прослушивания | | | | телефонных переговоров; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.4. | Для негласного перехвата и | | | | регистрации информации с | | | | технических каналов связи; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.5. | Для негласного контроля почтовых | | | | сообщений и отправлений; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.6. | Для негласного исследования | | | | предметов и документов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.7. | Для негласного проникновения и | | | | обследования помещений, | | | | транспортных средств и других | | | | объектов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.8. | Для негласного контроля за | | | | перемещением транспортных средств | | | | и других объектов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.9. | Для негласного получения | | | | (изменения, уничтожения) | | | | информации с технических средств | | | | ее хранения, обработки и передачи; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.8.10. | Для негласной идентификации | | | | личности | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 13.5.9. | Технологии разработки, | | | | производства или применения | | | | технических средств для выявления | | | | электронных устройств, | | | | предназначенных для негласного | | | | получения информации | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | КАТЕГОРИЯ 14. | | | | ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЯ | | | | И ОБРАБОТКА ИНФОРМАЦИИ | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.1. | Системы, оборудование и компоненты | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.1.1. | Дисплеи (в том числе индикаторы на | 8471 60 100 0; | | | лобовом стекле фонаря кабины), | 8471 60 900 0; | | | которые позволяют оператору | 8528 21; | | | воспринимать и использовать в | 8528 22 000 0; | | | реальном масштабе времени | 9013 80 | | | отображаемую информацию при | | | | одновременном продолжении | | | | выполнения других задач | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.1.2. | Гибридные электрооптические | 8471; | | | системы анализа изображений | 9031 80 990 0 | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование - | | | | нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.3. | Материалы - нет | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4. | Программное обеспечение | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.1. | Программное обеспечение, связанное | | | | с проблемами искусственного | | | | интеллекта, принятия решений и | | | | построения интеллектуальных систем | | | | управления: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.1.1. | Методы разработки и использования | | | | языков высокого уровня, | | | | разработанных для программирования | | | | задач искусственного интеллекта | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.2. | Программное обеспечение, связанное | | | | с распознаванием образов и | | | | использующее нейросетевые | | | | алгоритмы и нейрокомпьютеры для | | | | решения прикладных задач: | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.2.1. | Программное обеспечение | | | | идентификации объектов; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.2.2. | Программное обеспечение для | | | | разработки и применения сценариев | | | | обработки изображения; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.2.3. | Интегрированные наборы стандартных | | | | программ для обработки изображений | | | | при помощи соответствующих | | | | операционных систем; | | |------------------|------------------------------------|------------------| | 14.4.2.4. | Программное обеспечение | | | | компьютеров и математические | | | | модели для создания систем | | | | обработки речи и приложения | | | | искусственного интеллекта к | | | | синтаксису и смысловой оценке | | |------------------|------------------------------------|------------------| | | Примечание. | | | | По пунктам 14.4.1 - 14.4.2.4 не | | | | контролируется программное | | | | обеспечение, разработанное для | | |